2024-03-28T09:10:04Z
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/oai
oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00010857
2023-01-16T03:56:52Z
320:321:322
電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析
Analysis of Stressed-Gate SiO_2 Films with Electron Injection by Conductive Atomic Force Microscopy
世古, 明義
渡辺, 行彦
近藤, 博基
酒井, 朗
財満, 鎭明
安田, 幸夫
open access
Copyright 2004 IEICE
シリコン酸化膜
電流検出型原子間力顕微鏡法
信頼性
ストレス誘起リーク電流
トラップ
電流検出型原子間力顕微鏡法 (Conductive Atomic Force Microscopy :C-AFM)を用いて,Metal-Oxide-Semiconductor(MOS)キャパシタで観測される絶縁膜劣化を,ナノスケールで直接観察する手法を開発した.定電流ストレスを印加したシリコン酸化膜を本手法によって観察した結果,Stress-Induced Leakage Current (SILC)に関連した局所リーク電流スポットが観測された.これにより,ストレス誘起される膜中欠陥の局所性と分布,それらに起因した局所的なリーク伝導機構を実験的に明らかにした.
電子情報通信学会
2004-08-01
jpn
journal article
VoR
http://hdl.handle.net/2237/12703
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/records/10857
http://www.ieice.org/jpn/trans_online/index.html
1345-2827
電子情報通信学会論文誌
J87-C
8
616
624
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/10857/files/j87-c_8_616.pdf
application/pdf
1.4 MB
2018-02-20