2024-03-29T14:06:36Z
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/oai
oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00011054
2023-01-16T05:10:06Z
320:1092:1093
プラズマプロセシング用SiH4のラジカル非発光種に関する研究
後藤, 俊夫
稲葉, 成基
羽根, 一博
河野, 明広
open access
LIF法
電子衝突
ラジカル非発光種
Lifetime
Electron Collision
Non-Emissive Radical
Plasma Processing
生成断面積
寿命
Emission Cross Section
Si【H_4】
プラズマプロセシング
発光断面積
<SiH_4>
Level Excitation Cross Section
Si【H_4】はアモルファスシリコン膜作製に用いられる重要な分子であるが、その電子衝突過程の研究は十分行われていない。本研究の目的は、各種の分光計測法を用いて、Si【H_4】への電子衝突によって生じるラジカル発光種の発光断面積、カスケ-ドを除去した生成断面積、寿命を測定し、更にその結果を利用して、SiHラジカル非発光種の生成断面積を決定することである。本研究は60年度から61年度にかけて行われ、次の成果を得た。 1.ビ-ム法と光子計数法を用いて、Si【H_4】への電子衝突によって生じるラジカル発光種(Si【H^*】,【Si^*】,【H^*】)の発光断面積を0-100evの電子エネルギ-領域で決定した。この研究によって、He線を基準として用い、絶対量の測定をせずに、ラジカル種の発光断面積を決定する方法を確立した。 2.遅延一致法を用いて、【Si^*】及びSi【H^*】ラジカル発光種からの遷移の発光減衰測定を行い、発光種の寿命、カスケ-ドの寄与の割合を求めた。またこの結果と1の結果を組合せて、【Si^*】(4S,4P,3d,【3P^3】)準位,Si【H^*】(【A^2】△)準位の生成断面積(10ueV)を決定した。この生成断面積は本研究で初めて測定されたものであり、発光断面積と共にプラズマの物性解明を行う際の有用なデ-タである。 3.色素レ-ザを用いたレ-ザ誘起蛍光法(LIF法)を利用して、SiH(【A^2】△)に属する個々の振動回転準位の寿命を求めた。 4.LIF法及び時間分解分光法を用い、更に1〜3の結果を利用して、SiHラジカル非発光種(【X^2】Π)の電子衝突生成断面積を決定する方法を考え、予備測定を行った。この測定は現在も続行中であるが、今後SIN比の改善レ-ザ出力の増加を計ることによって、最終的な結果を得ることができると思われる。
科学研究費補助金 研究種目:一般研究(B) 課題番号:17520427 研究代表者:後藤 俊夫 研究期間:1985-1986年度
1987-03
jpn
research report
http://hdl.handle.net/2237/12922
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/records/11054
https://doi.org/10.13039/501100001691
日本学術振興会
60460120
プラズマプロセシング用SiH⊂のラジカル非発光種に関する研究
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/11054/files/60460120.pdf
application/pdf
1.5 MB
2018-02-20