2024-03-28T15:28:59Z
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/oai
oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00022879
2023-01-16T04:12:27Z
320:606:607
半導体エッチング装置における高周波と直流の重畳印加によるフルオロカーボンガスプラズマの特性及び酸化膜のエッチングメカニズムに関する研究
Study on Characteristics of Fluorocarbon Gas Plasma with Superposition of Radio Frequencies and Direct Current and Etching Mechanisms of SiO2 in Semiconductor Etching Equipment
大矢, 欣伸
open access
2016-09-27
jpn
doctoral thesis
http://hdl.handle.net/2237/25066
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/records/22879
甲第11602号
博士(工学)
2016-09-27
13901
名古屋大学
Nagoya University
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/22879/files/k11602_abstract.pdf
application/pdf
262.7 kB
2018-02-22
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/22879/files/k11602_thesis.pdf
application/pdf
6.1 MB
2018-02-22
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/22879/files/k11602_review.pdf
application/pdf
1.0 MB
2018-02-22