2024-03-28T14:43:38Z
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/oai
oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00021461
2023-01-16T04:10:16Z
320:321:322
Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures
Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
池田, 弥央
62384
牧原, 克典
62385
宮崎, 誠一
62386
IKEDA, Mitsuhisa
62387
MAKIHARA, Katsunori
62388
MIYAZAKI, Seiichi
62389
シリコン量子ドット
シリサイドナノドット
フローティングゲート
光応答
Silicon Quantum Dot
Silicide Nanodot
Floating Gate
Optical Response
シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にしたMOSキャパシタにおいて,内部光電効果によるNiSi-NDsからSi-QDsへの電荷移動に着目し,近赤外光照射がハイブリッドFG内の電荷移動・再分布に及ぼす影響を調べた.容量-電圧特性において,光照射下での電子注入に起因するフラットバンド電圧シフトは,暗状態に比べて減少した.これは,NiSi-NDs内で光励起された電子がSi-QDsへ移動することによりハイブリッドFG中で負電荷中心がゲート電極側へシフトした結果として解釈できる.また,NiSi-NDs内で光励起された電子のパルスゲート電圧に対する応答を調べた結果,NiSi-NDsからSi-QDsへ移動する電荷量は,パルスゲート電圧の大きさに比例することが示唆された.
We have studied electron transfer due to internal photoelectric emission in NiSi-Nanodots(NDs)/Si-Quantum-Dots(Si-QDs) hybrid FG structures induced by the irradiation of 1310 nm light. The flat-band voltage shift due to the charging of the hybrid FG was reduced by the light irradiation in comparison with that in the dark. The observed optical response can be interpreted in terms of the shift of the charge centroid in the hybrid FG caused by the photoexcitation of electrons in NiSi-NDs and their transfer to Si-QDs. The response of photoexcited electrons in the NiSi-NDs/Si-QDs hybrid FG to pulsed gate voltage was evaluated. The transferred charge is likely to increase in proportion to pulse gate voltage.
journal article
一般社団法人電子情報通信学会
2012-06-14
application/pdf
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
92
112
13
16
http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588297/
http://hdl.handle.net/2237/23590
0913-5685
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/21461/files/110009588297.pdf
jpn
http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588297/
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