2024-03-28T13:19:16Z
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/oai
oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00021660
2023-01-16T04:10:46Z
320:321:322
The Properties of High-Temperature Superconducting Devices with Asymmetrical Nanobridges
非対称ナノブリッジを利用した高温超伝導デバイスの特性
山本, 宗範
63913
井上, 真澄
63914
藤巻, 朗
63915
YAMAMOTO, Munenori
63916
INOUE, Masumi
63917
FUJIMAKI, Akira
63918
高温超伝導
非対称ナノブリッジ
SQUID
HTS
asymmetrical nanobridge
単一磁束量子(Single Flux Quantum,SFQ)回路の大規模化に向けて,電源供給回路における消費電力の低減が必要不可欠である.これを解決する方法の一つとして超伝導整流回路の構成が挙げられる.我々はこれまでに,その実現を目指してYBa_2Cu_3O_<7-x>(YBCO)を用いた非対称ナノブリッジを作製してきた.非対称ナノブリッジは外部磁場下において,ラチェット効果により非対称な電流-電圧(I-V)特性を示す.今回,我々は磁場変調量の増大化を目指して,2並列の非対称ナノブリッジによる超伝導量子干渉計(Superconducting Quantum Interference Device,SQUID)を作製した.その臨界電流(I_c)の外部磁場依存性(I_c-B特性)において,ラチェット効果によるI_cの変化とSQUIDによるIcの変調をそれぞれ確認できた.
For practical applications of SFQ circuits, it is necessary to decrease power consumption at the current-limiting resistors placed after the power supply. One of the candidates for the solutions is using rectifiers based on asymmetrical nanobridges. The vortex ratchet effect arises in asymmetrical nanobridges, causing asymmetrical I-V characteristics for asymmetrical nanobridges. By utilizing this ratchet effect, semiconductor-like diodes can be made with zero threshold voltage, which make it possible to form rectifiers applicable to SFQ circuits. In this study, we report the properties of high-temperature superconducting (HTS) devises with asymmetrical nanobridges The SQUIDs fabricated exhibit periodic behavior in magnetic field dependence of critical currents and that of voltages.
(薄膜,デバイス技術及びその応用,一般)
IEICE Technical Report;SCE2013-56
journal article
一般社団法人電子情報通信学会
2014-01
application/pdf
電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス
401
113
123
128
http://ci.nii.ac.jp/naid/110009822133/
http://hdl.handle.net/2237/23808
0913-5685
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/21660/files/110009822133.pdf
jpn
IEICE Technical Report;SCE2013-56
http://ci.nii.ac.jp/naid/110009822133/
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