2024-03-29T15:35:48Z
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/oai
oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00026525
2023-01-16T04:16:43Z
320:606:607
Study on improvement of characteristics of AlN buffer and GaN layers for GaN high frequency power device on Si substrate
Si基板上GaN高周波パワーデバイスに向けたAlN下地層及びGaN層の高品質化に関する研究
松本, 光二
87234
名古屋大学
Nagoya University
博士(工学)
doctoral thesis
2018-09-27
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甲第12499号
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/26525/files/k12499_abstract.pdf
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/26525/files/k12499_review.pdf
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/26525/files/k12499_summary.pdf
jpn