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プラズマプロセシング用SiH4のラジカル非発光種に関する研究
http://hdl.handle.net/2237/12922
http://hdl.handle.net/2237/12922375e319b-116a-46a3-b866-8819a34b57ce
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
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公開日 | 2010-03-12 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | プラズマプロセシング用SiH4のラジカル非発光種に関する研究 | |||||
言語 | ja | |||||
著者 |
後藤, 俊夫
× 後藤, 俊夫× 稲葉, 成基× 羽根, 一博× 河野, 明広 |
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アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | LIF法 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 電子衝突 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | ラジカル非発光種 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | Lifetime | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | Electron Collision | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | Non-Emissive Radical | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | Plasma Processing | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 生成断面積 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 寿命 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | Emission Cross Section | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | Si【H_4】 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | プラズマプロセシング | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 発光断面積 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | <SiH_4> | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | Level Excitation Cross Section | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | Si【H_4】はアモルファスシリコン膜作製に用いられる重要な分子であるが、その電子衝突過程の研究は十分行われていない。本研究の目的は、各種の分光計測法を用いて、Si【H_4】への電子衝突によって生じるラジカル発光種の発光断面積、カスケ-ドを除去した生成断面積、寿命を測定し、更にその結果を利用して、SiHラジカル非発光種の生成断面積を決定することである。本研究は60年度から61年度にかけて行われ、次の成果を得た。 1.ビ-ム法と光子計数法を用いて、Si【H_4】への電子衝突によって生じるラジカル発光種(Si【H^*】,【Si^*】,【H^*】)の発光断面積を0-100evの電子エネルギ-領域で決定した。この研究によって、He線を基準として用い、絶対量の測定をせずに、ラジカル種の発光断面積を決定する方法を確立した。 2.遅延一致法を用いて、【Si^*】及びSi【H^*】ラジカル発光種からの遷移の発光減衰測定を行い、発光種の寿命、カスケ-ドの寄与の割合を求めた。またこの結果と1の結果を組合せて、【Si^*】(4S,4P,3d,【3P^3】)準位,Si【H^*】(【A^2】△)準位の生成断面積(10ueV)を決定した。この生成断面積は本研究で初めて測定されたものであり、発光断面積と共にプラズマの物性解明を行う際の有用なデ-タである。 3.色素レ-ザを用いたレ-ザ誘起蛍光法(LIF法)を利用して、SiH(【A^2】△)に属する個々の振動回転準位の寿命を求めた。 4.LIF法及び時間分解分光法を用い、更に1〜3の結果を利用して、SiHラジカル非発光種(【X^2】Π)の電子衝突生成断面積を決定する方法を考え、予備測定を行った。この測定は現在も続行中であるが、今後SIN比の改善レ-ザ出力の増加を計ることによって、最終的な結果を得ることができると思われる。 | |||||
言語 | ja | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 科学研究費補助金 研究種目:一般研究(B) 課題番号:17520427 研究代表者:後藤 俊夫 研究期間:1985-1986年度 | |||||
言語 | ja | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||
資源タイプ | research report | |||||
助成情報 | ||||||
助成機関識別子タイプ | Crossref Funder | |||||
助成機関識別子 | https://doi.org/10.13039/501100001691 | |||||
助成機関名 | 日本学術振興会 | |||||
言語 | ja | |||||
研究課題番号URI | https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-60460120 | |||||
研究課題番号 | 60460120 | |||||
研究課題名 | プラズマプロセシング用SiH⊂のラジカル非発光種に関する研究 | |||||
言語 | ja | |||||
書誌情報 |
発行日 1987-03 |
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フォーマット | ||||||
値 | application/pdf | |||||
著者版フラグ | ||||||
値 | publisher | |||||
シリーズ | ||||||
関連名称 | 科学研究費補助金;一般研究(B);60460120 | |||||
URI | ||||||
識別子 | http://hdl.handle.net/2237/12922 | |||||
識別子タイプ | HDL |