@techreport{oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00011054,
 author = {後藤, 俊夫 and 稲葉, 成基 and 羽根, 一博 and 河野, 明広},
 month = {Mar},
 note = {Si【H_4】はアモルファスシリコン膜作製に用いられる重要な分子であるが、その電子衝突過程の研究は十分行われていない。本研究の目的は、各種の分光計測法を用いて、Si【H_4】への電子衝突によって生じるラジカル発光種の発光断面積、カスケ-ドを除去した生成断面積、寿命を測定し、更にその結果を利用して、SiHラジカル非発光種の生成断面積を決定することである。本研究は60年度から61年度にかけて行われ、次の成果を得た。 1.ビ-ム法と光子計数法を用いて、Si【H_4】への電子衝突によって生じるラジカル発光種(Si【H^*】,【Si^*】,【H^*】)の発光断面積を0-100evの電子エネルギ-領域で決定した。この研究によって、He線を基準として用い、絶対量の測定をせずに、ラジカル種の発光断面積を決定する方法を確立した。 2.遅延一致法を用いて、【Si^*】及びSi【H^*】ラジカル発光種からの遷移の発光減衰測定を行い、発光種の寿命、カスケ-ドの寄与の割合を求めた。またこの結果と1の結果を組合せて、【Si^*】(4S,4P,3d,【3P^3】)準位,Si【H^*】(【A^2】△)準位の生成断面積(10ueV)を決定した。この生成断面積は本研究で初めて測定されたものであり、発光断面積と共にプラズマの物性解明を行う際の有用なデ-タである。 3.色素レ-ザを用いたレ-ザ誘起蛍光法(LIF法)を利用して、SiH(【A^2】△)に属する個々の振動回転準位の寿命を求めた。 4.LIF法及び時間分解分光法を用い、更に1〜3の結果を利用して、SiHラジカル非発光種(【X^2】Π)の電子衝突生成断面積を決定する方法を考え、予備測定を行った。この測定は現在も続行中であるが、今後SIN比の改善レ-ザ出力の増加を計ることによって、最終的な結果を得ることができると思われる。, 科学研究費補助金 研究種目:一般研究(B) 課題番号:17520427 研究代表者:後藤 俊夫 研究期間:1985-1986年度},
 title = {プラズマプロセシング用SiH4のラジカル非発光種に関する研究},
 year = {1987}
}