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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200d 学位論文
  3. 博士論文(工博・論工博)

Si およびGe半導体表面のスパッタリングにおける2次イオンの生成過程

http://hdl.handle.net/2237/14875
ce8c9365-0729-4118-9597-cb8d51d726ca
名前 / ファイル ライセンス アクション
k9242.pdf k9242.pdf (5.5 MB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2011-05-24
タイトル
タイトル Si およびGe半導体表面のスパッタリングにおける2次イオンの生成過程
その他のタイトル
その他のタイトル Formation processes of secondary ions sputtered from Si and Ge semiconductor surfaces
著者 佐久間, 靖博

× 佐久間, 靖博

WEKO 40848

佐久間, 靖博

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内容記述
内容記述 名古屋大学博士学位論文 学位の種類 : 博士(工学)(課程) 学位授与年月日:平成23年3月25日
内容記述タイプ Other
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
タイプ thesis
書誌情報 発行日 2011-03-25
学位授与年度
学位授与年度 2010
学位授与年月日
学位授与年月日 2011-03-25
学位授与番号
学位授与番号 13901甲第9242号
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/14875
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 18:42:17.581716
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