@article{oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00018464,
 author = {勝野, 弘康 and 上羽, 牧夫 and 齋藤, 幸夫 and Katsuno, Hiroyasu and Uwaha, Makio and Saito, Yukio},
 issue = {2},
 journal = {日本結晶成長学会誌},
 month = {Jul},
 note = {転位を持つヘテロエピタキシャル成長の表面形態について2次元弾性格子模型を用いたこれまでの研究を紹介する.転位が作る結晶中の非一様な歪み場により,吸着原子は特定のサイトに集められる.その結果,平坦な表面上での次の層の核生成サイトが,転位直上もしくは転位間の中間位置の2つの場合に分かれる.また,いくつかの吸着量でエネルギー最低となる平衡形状を決めることで,吸着物結晶の成長様式を推測した.表面を完全に濡らす通常の半導体結晶の組み合わせを想定すると,格子不整合が大きくなるにつれ,Frank-van der Merwe (FM)成長,Stranski-Krastanov (SK)成長,転位を含むSK成長,転位を含むFM成長と変化する.また,SK成長と転位を含むFM成長間の領域で一時的に島状構造が現れうることがわかった., We study equilibrium shapes of adsorbate crystals by allowing a possibility of dislocations on an elastic substrate in a two-dimensional lattice model. On a flat adsorbate surface with a periodic array of misfit dislocations, the preferential adsorption site is found to be either on the top or at the midpoint of the dislocations depending on the sign of the force dipole moment of the adatom and the sign of the misfit parameter. From the equilibrium shapes determined for various coverages, we infer the growth mode. As the misfit parameter increases, the growth mode changes from the Frank-van der Merwe (FM) to the Stranski-Krastanov (SK), further to the FM with dislocations for a parameter range of ordinary semiconductor materials. Conceivable growth modes such as the SK with dislocations appear in a parameter range between the SK and the FM with dislocations.},
 pages = {121--127},
 title = {ヘテロエピタキシャル成長におけるミスフィット転位と島状構造},
 volume = {38},
 year = {2011}
}