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アイテム / Etching-induced damage in heavily Mg-doped p-type GaN and its suppression by low-bias-power inductively coupled plasma-reactive ion etching / 201203_JJAP_RegularPaper_Kumabe
201203_JJAP_RegularPaper_Kumabe
ファイル | ライセンス |
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公開日 | 2021-09-08 | |||||
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ファイル名 | 201203_JJAP_RegularPaper_Kumabe.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/2001364/files/201203_JJAP_RegularPaper_Kumabe.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 1.3 MB |
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