WEKO3
アイテム / Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm^−3 grown by halide vapor phase epitaxy / Manuscript_reviced2-1_Hamasaki
Manuscript_reviced2-1_Hamasaki
| ファイル | ライセンス |
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Manuscript_reviced2-1_Hamasaki.pdf (728.5 kB)
sha256
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| 公開日 | 2026-02-15 | |||||
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| ファイル名 | Manuscript_reviced2-1_Hamasaki.pdf | |||||
| 本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/2010861/files/Manuscript_reviced2-1_Hamasaki.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 711 KB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/非表示 |
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