WEKO3
アイテム
NANDフラッシュメモリの電荷蓄積層として用いられるシリコン窒化膜の成膜過程、及び電子物性に関する理論的研究
http://hdl.handle.net/2237/0002012622
http://hdl.handle.net/2237/0002012622167b0cb8-a2b5-47d7-8928-7c7ac6339614
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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k15408_abstract.pdf (290.7 KB)
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k15408_review.pdf (483.3 KB)
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k15408_thesis.pdf (4.9 MB)
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| アイテムタイプ | itemtype_ver1(1) | |||||||
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| 公開日 | 2025-06-26 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | NANDフラッシュメモリの電荷蓄積層として用いられるシリコン窒化膜の成膜過程、及び電子物性に関する理論的研究 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| その他のタイトル | ||||||||
| その他のタイトル | Theoretical study on deposition process and electronic properties of silicon nitride film used as charge storage layer in NAND flash memories | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 著者 |
長橋, 知也
× 長橋, 知也
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| アクセス権 | ||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプresource | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||
| タイプ | doctoral thesis | |||||||
| 書誌情報 |
発行日 2025-03-25 |
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| 学位名 | ||||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位授与機関 | ||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||
| 学位授与機関識別子 | 13901 | |||||||
| 学位授与機関名 | 名古屋大学 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位授与機関名 | Nagoya University | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 学位授与年度 | ||||||||
| 学位授与年度 | 2024 | |||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||
| 学位授与年月日 | 2025-03-25 | |||||||
| 学位授与番号 | ||||||||
| 学位授与番号 | 甲第15408号 | |||||||
