WEKO3
アイテム / NANDフラッシュメモリの電荷蓄積層として用いられるシリコン窒化膜の成膜過程、及び電子物性に関する理論的研究 / k15408_abstract
k15408_abstract
| ファイル | ライセンス |
|---|---|
k15408_abstract.pdf (297.6 kB)
sha256
63baadb9084507ccf53187ad173101cf10ddd6b1c3359e790721bb2e4de3edca
|
| 公開日 | 2025-06-26 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ファイル名 | k15408_abstract.pdf | |||||
| 本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/2012622/files/k15408_abstract.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | abstract | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 290.7 KB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/非表示 |
|---|