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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

計算科学に基づく電子デバイス設計の現状

http://hdl.handle.net/2237/23489
http://hdl.handle.net/2237/23489
d5cd971b-17f9-4f97-bb0b-43e7d095a28f
名前 / ファイル ライセンス アクション
110009889347.pdf 110009889347.pdf (793.1 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-19
タイトル
タイトル 計算科学に基づく電子デバイス設計の現状
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Role of Computational Sciences in Design of Modern Electron Devices
言語 en
著者 白石, 賢二

× 白石, 賢二

WEKO 61599

ja 白石, 賢二

Search repository
SHIRAISHI, Kenji

× SHIRAISHI, Kenji

WEKO 61600

en SHIRAISHI, Kenji

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 計算科学
キーワード
主題Scheme Other
主題 第一原理計算
キーワード
主題Scheme Other
主題 電子デバイス
キーワード
主題Scheme Other
主題 物質設計
キーワード
主題Scheme Other
主題 抵抗変化型メモリ
キーワード
主題Scheme Other
主題 SiCパワーデバイス
キーワード
主題Scheme Other
主題 Computational Sciences
キーワード
主題Scheme Other
主題 First Principles Calculations
キーワード
主題Scheme Other
主題 Electron Devices
キーワード
主題Scheme Other
主題 Material Design
抄録
内容記述 最近の計算科学は材料・デバイス開発においても大きな役割を占めるようになってきている。中でも第一原理計算に代表される物質設計ツールの充実は目覚ましいものがあり、半導体技術ロードマップにおいても非常に重要なツールとして認識されている。本講演では、第一原理計算に代表される計算科学が現代の電子デバイス開発において果している役割を実例をあげながら紹介する。具体的には、(1)第一原理計算の結果をベースとして、抵抗変化型メモリ(ReRAM)のON-OFFスイッチング機構の解明とそこから得られる高いON-OFF比を持つ抵抗変化型メモリの設計指針を明らかにし、(2)第一原理計算を用いてSiCの熱酸化によってC-Cボンド型欠陥の形成が不可避であることを示し、SiCパワーデバイスにおいては酸化プロセスは最小限に抑える必要があることを示した。
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
抄録
内容記述 Recent computational science plays important roles in development of new materials and modern electron devices. Among them, new material design tool such as first principles calculations becomes very popular for experimental researchers as well as theoretical researchers. In this presentation, I introduce some examples that first principles calculations plays crucial roles in modern electron devices. Two main examples are shown. (1) We propose useful guiding principles for modern Resistive Random Access Memories (ReRAM) by clarifying the ON-OFF switching mechanism by first principles calculations. (2) We show that oxidation process should be minimized in SiC-MOSFET fabrication to avoid C-C bond defect formation at the oxidation front.
言語 en
内容記述タイプ Abstract
出版者
言語 ja
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009889347/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0913-5685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 113, 号 296, p. 9-14, 発行日 2013-11
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009889347/
識別子タイプ URI
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23489
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 15:25:32.831602
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