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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析

http://hdl.handle.net/2237/23509
http://hdl.handle.net/2237/23509
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名前 / ファイル ライセンス アクション
110008689362.pdf 110008689362.pdf (1.1 MB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-22
タイトル
タイトル 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Characterization of carbon nanotube thin-film transistors by scanning probe microscopy
言語 en
著者 沖川, 侑揮

× 沖川, 侑揮

WEKO 61705

ja 沖川, 侑揮

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大野, 雄高

× 大野, 雄高

WEKO 61706

ja 大野, 雄高

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岸本, 茂

× 岸本, 茂

WEKO 61707

ja 岸本, 茂

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水谷, 孝

× 水谷, 孝

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ja 水谷, 孝

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OKIGAWA, Yuki

× OKIGAWA, Yuki

WEKO 61709

en OKIGAWA, Yuki

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OHNO, Yutaka

× OHNO, Yutaka

WEKO 61710

en OHNO, Yutaka

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KISHIMOTO, Shigeru

× KISHIMOTO, Shigeru

WEKO 61711

en KISHIMOTO, Shigeru

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MIZUTANI, Takashi

× MIZUTANI, Takashi

WEKO 61712

en MIZUTANI, Takashi

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 カーボンナノチューブ
キーワード
主題Scheme Other
主題 薄膜トランジスタ
キーワード
主題Scheme Other
主題 プラズマCVD法
キーワード
主題Scheme Other
主題 走査型プローブ顕微鏡
キーワード
主題Scheme Other
主題 モンテカルロシミュレーション
キーワード
主題Scheme Other
主題 carbon nanotube
キーワード
主題Scheme Other
主題 thin-film transistors
キーワード
主題Scheme Other
主題 plasma−enhanced chemical vapor deposition
キーワード
主題Scheme Other
主題 scanning probe microscopy
キーワード
主題Scheme Other
主題 Monte−Carlo simulation
抄録
内容記述 プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により解析した。その結果、サブスレッショルド領域ではチャネルが島状構造を形成し、ON状態ではその島構造が緩和する結果が得られた。この結果は、半導体CNTの抵抗がゲートバイアスにより変化し電気伝導に関与するCNTの本数が変化するためだと考えられる。またモンテカルロシミュレーションを行ったところ実験結果に対応する結果が得られた。なお、欠陥を含む金属CNTの電気伝導への影響やサブスレッショルド領域でのドレイン電流のばらつきに関しても述べる。
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
抄録
内容記述 The electrical properties of CNT-FETs fabricated using PECVD were studied by scanning probe microscopy. The measured results suggest the formation of an island structure in the subthreshold regime and disappearance of the island structure at ON state. These results were explained by the change in the effective number of the CNTs which contribute to the electrical conduction due to the gate-bias-dependent resistance of the semiconducting CNTs. The results obtained by Monte Carlo simulation revealed similar results. The effects of metallic CNTs with defects and the scatter of the drain current in the subthreshold regime were also examined.
言語 en
内容記述タイプ Abstract
内容記述
内容記述 IEICE Technical Report;ED2010-197, IEICE Technical Report;SDM2010-232
言語 en
内容記述タイプ Other
出版者
言語 ja
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110008689362/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0913-5685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 110, 号 424, p. 31-36, 発行日 2011-02
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23509
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 15:25:00.879275
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