@article{oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00021366, author = {宮崎, 英志 and 合田, 祐司 and 岸本, 茂 and 水谷, 孝 and Miyazaki, Eiji and Gouda, Takeshi and Kishimoto, Shigeru and Mizutani, Takashi}, issue = {46}, journal = {電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス}, month = {May}, note = {Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al_2O_3成膜前の前処理として(NH_4)_2S(硫化アンモニウム)処理を検討した。まず初めに、Al_2O_3/n-GaN MOSダイオードを用いて、(NH_4)_2S処理の効果を検討した所、Al_2O_3成膜前に(NH_4)_2S処理を行うことでC-Vカーブの傾きが(NH_4)_2S処理なしに比べて急峻になり、界面準位密度も低減した。次に本(NH_4)_2S処理をAl_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETに適用したところ、I_D,g_m-V_特性におけるヒステリシスが減少し、また大きなゲート電圧におけるI_Dの上詰まりも改善した。これらの結果は硫化アンモニウム処理により、Al_2O_3/AlGaN界面の界面準位密度が低減したことを示唆している。またさらなる界面品質の向上を目指して、C-V測定後アニールを行ったところ、C-Vカーブの立ち上がりが正側にシフトし、界面準位密度も低減した。, We have introduced (NH_4)_2S surface treatments before the deposition of the Al_2O_3 gate oxide to improve the electrical properties of Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETs. Firstly, the effect of (NH_4)_2S surface treatment was studied using Al_2O_3/GaN MOS diodes. The slope in the C-V curve of the MOS diodes with (NH_4)_2S surface treatments was steeper than that of the devices without (NH_4)_2S. In addition, Al_2O_3/GaN interface trap density was decreased by (NH_4)_2S surface treatments. The hysteresis of the Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFET with (NH_4)_2S surface treatments in I_D-V_ and g_m-V_ characteristics was smaller than that of the device without (NH_4)_2S surface treatments. In addition, the current saturation in I_D-V_ characteristics at a large gate voltage is relaxed. These results indicate that Al_2O_3/AlGaN interface trap density is decreased by (NH_4)_2S surface treatments. The annealing of the MOS diodes was shown to be effective in improving the interface quality of the MOS diodes., IEICE Technical Report;ED2011-36, IEICE Technical Report;CPM2011-43, IEICE Technical Report;SDM2011-49}, pages = {185--190}, title = {原子層堆積Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価}, volume = {111}, year = {2011} }