WEKO3
アイテム / 原子層堆積Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 / 110008726168
110008726168
ファイル | ライセンス |
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110008726168.pdf (758.1 kB) sha256 99a7040c86b2368a243083c6144251c96f44c5a47db57fb3fcc010a8c122ac28 |
公開日 | 2016-02-22 | |||||
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ファイル名 | 110008726168.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/21366/files/110008726168.pdf | |||||
ラベル | 110008726168.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 758.1 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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