@article{oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00021444,
 author = {松井, 真史 and 藤岡, 知宏 and 大田, 晃生 and 村上, 秀樹 and 東, 清一郎 and 宮崎, 誠一 and Matsui, Masafumi and Fujioka, Tomohiro and Ohta, Akio and Murakami, Hideki and Higashi, Seiichiro and Miyazaki, Seiichi},
 issue = {114},
 journal = {電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス},
 month = {Jun},
 note = {熱酸化により形成したGeO_2/Ge(100)界面および金属(Al,AuおよびPt)薄膜形成後のGeO_2との界面化学結合状態をXPS分析により評価した。室温のAl蒸着において、GeO_2初期膜厚(>〜1nm)に関わらず、厚さ〜1nm程度GeO_2が還元されることが明らかになった。初期GeO_2膜厚が1.0nm程度の場合にはGeO_2からAlへの酸素原子の拡散が支配的であり、GeO_2膜厚が1.9nm以上の場合は酸素原子拡散に加えてAl-Ge結合の形成が明瞭に観測された。また、極薄AuおよびPtを熱酸化GeO_2上に堆積した場合、金属/GeO_2界面に熱酸化GeO_2/Ge界面と同等量のサブオキサイド成分(GeO_x:0<x<2)の形成を確認した。, We have investigated chemical bonding features at thermally-grown GeO_2/Ge(100) and metals (Al, Au and Pt)/GeO_2 interfaces by using high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After the Al evaporation on GeO_2 thicker than 1.9nm initially, a reduction of GeO_2 accompanied with the generation of Al-Ge bonds was observed near the interface between Al and GeO_2. From the deconvolution of measured Ge3ds/2 spectra taken after physical vapor deposition of Au- and Pt-ultrathin films on thermally-grown GeO_2, we have confirmed the formation of Ge sub-oxide components (GeO_x 0<x<2) at the metal/GeO_2 interfaces being quantitatively comparable to sub-oxides at the thermally-grown GeO_2/Ge(100) interface.},
 pages = {63--68},
 title = {金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)},
 volume = {111},
 year = {2011}
}