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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

http://hdl.handle.net/2237/23586
http://hdl.handle.net/2237/23586
c4843b20-57ab-45a8-95ce-2a2fd49397f3
名前 / ファイル ライセンス アクション
110009588307.pdf 110009588307.pdf (604.0 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-24
タイトル
タイトル As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Chemical Analysis of As^+ -implanted Ge(100)
言語 en
著者 小野, 貴寛

× 小野, 貴寛

WEKO 62348

ja 小野, 貴寛

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大田, 晃生

× 大田, 晃生

WEKO 62349

ja 大田, 晃生

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村上, 秀樹

× 村上, 秀樹

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ja 村上, 秀樹

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東, 清一郎

× 東, 清一郎

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ja 東, 清一郎

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宮崎, 誠一

× 宮崎, 誠一

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ja 宮崎, 誠一

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Ono, Takahiro

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Ohta, Akio

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Murakami, Hideki

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Higashi, Seiichiro

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Miyazaki, Seiichi

× Miyazaki, Seiichi

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アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 Ge
キーワード
主題Scheme Other
主題 イオン注入
キーワード
主題Scheme Other
主題 不純物活性化
キーワード
主題Scheme Other
主題 化学結合状態
キーワード
主題Scheme Other
主題 硬X線光電子分光法
キーワード
主題Scheme Other
主題 Ion Implantation
キーワード
主題Scheme Other
主題 Dopant Activation
キーワード
主題Scheme Other
主題 Chemical Bonding Features
キーワード
主題Scheme Other
主題 Hard X-ray Photoemission Spectroscopy (HAXPES)
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 高濃度As^+イオン注入したGe(100)でのAsの活性化に対する知見を得るために、加速電圧10keV,ドーズ量1x10^<15>cm^<-2>でイオン注入後、熱処理に伴う化学構造変化やAs活性化状況を系統的に調べた。イオン注入により、p型Ge(100)基板の表層深さ約19nmが非晶質化すると共に、アクセプター型欠陥準位が生成されることが明らかになった。熱処理による基板側から再結晶化と伴って、Asの活性化が進行し、一部のAsは非晶質/結晶回復層の界面近傍に偏析することが分かった。硬X線光電子分光により、Ge中のAsの化学結合状態を評価した結果、500℃の熱処理後では、活性化した成分に相当するAs^<1+>と不活性な成分に相当するAs^<0+>の結合状態が存在し、As^<1+>の成分比から算出した活性化率は〜4%で、ホール効果測定結果とほぼ一致することが分かった。この結果は、Siの場合と同様に、クラスター形成による活性化率の低下を示している。
言語 ja
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 As^+ ions were implanted into p-type Ge(100) at a dose of 1x10^<15> cm^<-2> and acceleration voltage of 10 keV, and an impact of activation annealing temperature on the chemical structure has been investigated systematically. After ion implantation, a formation of 19 nm-thick amorphous Ge including accepter-like defects was observed. During activation annealing in N_2 ambience, re-crystallization of amorphous Ge layer and activation of implanted As^+ ions were promoted from the substrate side. Hard x-ray photoemission spectroscopy (HAXPES) analyses of 500℃ annealed sample show the presence of two chemical states of As ions originating from activated As (As^<1+>) and inactivated As (As^<0+>). From the spectral deconvolution, activation ratio of implanted As ions was crudely estimated to be 〜4%, which was almost consistent with the electrical properties.
言語 en
出版者
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語 ja
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588307/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0913-5685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 112, 号 92, p. 63-67, 発行日 2012-06-14
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588307/
識別子タイプ URI
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23586
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 15:22:24.903757
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