@article{oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00021457,
 author = {小野, 貴寛 and 大田, 晃生 and 村上, 秀樹 and 東, 清一郎 and 宮崎, 誠一 and Ono, Takahiro and Ohta, Akio and Murakami, Hideki and Higashi, Seiichiro and Miyazaki, Seiichi},
 issue = {92},
 journal = {電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス},
 month = {Jun},
 note = {高濃度As^+イオン注入したGe(100)でのAsの活性化に対する知見を得るために、加速電圧10keV,ドーズ量1x10^<15>cm^<-2>でイオン注入後、熱処理に伴う化学構造変化やAs活性化状況を系統的に調べた。イオン注入により、p型Ge(100)基板の表層深さ約19nmが非晶質化すると共に、アクセプター型欠陥準位が生成されることが明らかになった。熱処理による基板側から再結晶化と伴って、Asの活性化が進行し、一部のAsは非晶質/結晶回復層の界面近傍に偏析することが分かった。硬X線光電子分光により、Ge中のAsの化学結合状態を評価した結果、500℃の熱処理後では、活性化した成分に相当するAs^<1+>と不活性な成分に相当するAs^<0+>の結合状態が存在し、As^<1+>の成分比から算出した活性化率は〜4%で、ホール効果測定結果とほぼ一致することが分かった。この結果は、Siの場合と同様に、クラスター形成による活性化率の低下を示している。, As^+ ions were implanted into p-type Ge(100) at a dose of 1x10^<15> cm^<-2> and acceleration voltage of 10 keV, and an impact of activation annealing temperature on the chemical structure has been investigated systematically. After ion implantation, a formation of 19 nm-thick amorphous Ge including accepter-like defects was observed. During activation annealing in N_2 ambience, re-crystallization of amorphous Ge layer and activation of implanted As^+ ions were promoted from the substrate side. Hard x-ray photoemission spectroscopy (HAXPES) analyses of 500℃ annealed sample show the presence of two chemical states of As ions originating from activated As (As^<1+>) and inactivated As (As^<0+>). From the spectral deconvolution, activation ratio of implanted As ions was crudely estimated to be 〜4%, which was almost consistent with the electrical properties.},
 pages = {63--67},
 title = {As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)},
 volume = {112},
 year = {2012}
}