@article{oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00021459,
 author = {村上, 秀樹 and 三嶋, 健斗 and 大田, 晃生 and 橋本, 邦明 and 東, 清一郎 and 宮崎, 誠一 and MURAKAMI, Hideki and MISHIMA, Kento and OHTA, Akio and HASHIMOTO, Kuniaki and HIGASHI, Seiichiro and MIYAZAKI, Seiichi},
 issue = {92},
 journal = {電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス},
 month = {Jun},
 note = {GeチャネルMISFET実現のために必要不可欠なHigh-k/Ge界面制御手法として、極薄TaOx層の挿入に着目し、Ge表面へのTaO_xのMOCVDによるLayer-by-Layer成膜を行い、界面近傍の化学結合状態について評価を行った。その結果、HfO_2/Ge界面に形成したTaO_x挿入層/Ge界面近傍で成膜中および成膜後の熱負荷によるTaO_x層中へのGeの拡散が確認されるものの、厚さ〜1nm以上のTaO_x挿入が、誘電率低下の要因となるGe界面酸化層の形成抑制に有効であることが明らかとなった。また、Ge拡散により界面に形成されたTaGe_xO_y層の比誘電率は、GeO_2の値の約1.7倍の9であることから、EOT低減に効果的であることを明らかにした。, To control interfacial reaction between high-k dielectric and Ge, we have focused on an insertion of TaO_x ultrathin layer as an interfacial barrier layer and studied MOCVD process of TaO_x with layer-by-layer fashion on Ge surface. XPS analyses show that Ge atoms diffuses into TaO_x layer during the formation of HfO_2 and cofirm that the Ge-oxide growth during atomic layer deposition of HfO_2 is effectively suppressed by inserting TaO_x layer thicker than 1nm. The dielectric constant of TaGe_xO_y layer formed by Ge atoms diffusion into TaO_x layer was determined to be 〜9 being larger by a factor of 1.7 than that of GeO_2 (ε〜5.2).},
 pages = {33--36},
 title = {TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)},
 volume = {112},
 year = {2012}
}