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アイテム
SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
http://hdl.handle.net/2237/23594
http://hdl.handle.net/2237/23594a817735b-1d93-4b66-a363-baab97dfc3d7
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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110009779104.pdf (756.3 kB)
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2016-02-24 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Resistive Switching Properties of SiO_x/TiO_2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes | |||||
| 著者 |
大田, 晃生
× 大田, 晃生× 福嶋, 太紀× 牧原, 克典× 村上, 秀樹× 東, 清一郎× 宮崎, 誠一× OHTA, Akio× FUKUSHIMA, Motoki× MAKIHARA, Katsunori× MURAKAMI, Hideki× HIGASHI, Seiichiro× MIYAZAKI, Seiichi |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである | |||||
| 言語 | ja | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 抵抗変化型メモリ(ReRAM) | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Si酸化物 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 化学結合状態 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 電気抵抗スイッチング特性 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Resistive Random Access Memories (ReRAMs) | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Si Oxide | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Chemical Bonding Features | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Resistance Switching Property | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 比誘電率の大きく異なるSiO_xとTiO_2を積層したTi電極MIMダイオードをRFスパッタリングにより形成し、X線光電子分光分析(XPS)と電流-電圧(I-V)特性からその化学構造と抵抗変化動作を評価した。XPS分析では、SiO_x/TiO_2界面の化学結合状態とTi電極堆積時に生じるSiO_x層の還元反応を調べ、SiO_x上に厚さ5nm以上のTiO_2層を追加堆積することで還元反応を抑制できることを明らかにした。また、SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードでは、フォーミング動作後にバイポーラ型の抵抗変化動作が生じた。SiO_x膜厚およびSiO_x/TiO_2二重積層がスイッチング特性に与える影響を評価した結果、厚さ5nmと10nmのSiO_x層を厚さ5nmのTiO_2層で挟んだ二重積層構成で、2桁の抵抗比で〜1.3V以下の動作電圧でスイッチング動作を得た。 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Ti-electrode MIM diodes with SiO_x/TiO_2 stack structures have been fabricated on SiO_2/Si substrate by RF sputtering. The chemical bonding features in SiO_x/TiO_2 stack and the infulenece of the stack structure on the switching properties have been studied by the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and the current-voltage (I-V) characteristics. XPS analyses show that a reduction reaction of SiO_x with the Ti top electrode deposition is effectively suppressed by a formation of TiO_2 barrier layer in the thickness over 5 nm. For SiO_x/TiO_2 stacked MIM diodes, a distinct bipolar-type resistive switching of counter-clockwise rotation appear after an electro-forming process and impacts of SiO_x thickness and SiO_x/TiO_2 muti-stack on the switching behaviors have been investigated. The SiO_x/TiO_2 double-stacked sample shows better switching behavior such as the ON/OFF ratio of 2 order and the lower operation voltages below 〜1.3 V. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 一般社団法人電子情報通信学会 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプresource | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | journal article | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 関連情報 | ||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110009779104/ | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0913-5685 | |||||
| 書誌情報 |
ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 巻 113, 号 87, p. 61-66, 発行日 2013-06-11 |
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| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | publisher | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110009779104/ | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| URI | ||||||
| 識別子 | http://hdl.handle.net/2237/23594 | |||||
| 識別子タイプ | HDL | |||||
