WEKO3
アイテム / High quality 4H-SiC crystal growth and dislocations behavior during solution method / k11594_abstract
k11594_abstract
ファイル | ライセンス |
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公開日 | 2016-11-18 | |||||
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ファイル名 | k11594_abstract.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/22873/files/k11594_abstract.pdf | |||||
ラベル | k11594_abstract.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | abstract | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 1.8 MB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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