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アイテム / Effect of GeO2 deposition temperature in atomic layer deposition on electrical properties of Ge gate stack / JJAP_Kanematsu_DT15020
JJAP_Kanematsu_DT15020
ファイル | ライセンス |
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JJAP_Kanematsu_DT15020.pdf (556.8 kB) sha256 c40d2f2a86b67fa960605f76daf70138df735fca63d3d4ac1bfdecc660e0bd15 |
公開日 | 2016-12-21 | |||||
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ファイル名 | JJAP_Kanematsu_DT15020.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/23087/files/JJAP_Kanematsu_DT15020.pdf | |||||
ラベル | JJAP_Kanematsu_DT15020.pdf ファイル公開:2017/08/01 | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 556.8 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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