WEKO3
アイテム / Study on plasma etching of GaN at high temperatures for damageless fabrication of next-generation power devices / k11890_abstract
k11890_abstract
ファイル | ライセンス |
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k11890_abstract.pdf (210.0 kB) sha256 c863b0d998cb0937196ccd1b46ee7085aff21311ba7333d9d2f46bfbe666581f |
公開日 | 2017-06-06 | |||||
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ファイル名 | k11890_abstract.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/24182/files/k11890_abstract.pdf | |||||
ラベル | k11890_abstract.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | abstract | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 210.0 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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