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アイテム / Study on plasma etching of GaN at high temperatures for damageless fabrication of next-generation power devices / k11890_review
k11890_review
ファイル | ライセンス |
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k11890_review.pdf (106.3 kB) sha256 a01a9ceeb8434032843ffe4e7e87f980ac6fe02c187e674ba56523ac4e73120a |
公開日 | 2017-06-06 | |||||
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ファイル名 | k11890_review.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/24182/files/k11890_review.pdf | |||||
ラベル | k11890_review.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | other | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 106.3 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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