WEKO3
アイテム / Study on plasma etching of GaN at high temperatures for damageless fabrication of next-generation power devices / k11890_thesis
k11890_thesis
| ファイル | ライセンス |
|---|---|
 k11890_thesis.pdf (4.1 MB)
sha256
84f7a0c99c132bde0c5fe40d0ad0785d190ae07d3fbc44c49d4edec7f852c27c
|
| 公開日 | 2017-06-06 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ファイル名 | k11890_thesis.pdf | |||||
| 本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/24182/files/k11890_thesis.pdf | |||||
| ラベル | k11890_thesis.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 4.1 MB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
|---|