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アイテム / Si基板上GaN高周波パワーデバイスに向けたAlN下地層及びGaN層の高品質化に関する研究 / k12499_abstract
k12499_abstract
ファイル | ライセンス |
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公開日 | 2018-10-19 | |||||
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ファイル名 | k12499_abstract.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/26525/files/k12499_abstract.pdf | |||||
ラベル | k12499_abstract | |||||
オブジェクトタイプ | abstract | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 341.2 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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