WEKO3
アイテム / Study of high-quality InGaN growth by metalorganic vapor phase epitaxy / k12770_abstract
k12770_abstract
ファイル | ライセンス |
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公開日 | 2019-04-04 | |||||
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ファイル名 | k12770_abstract.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/27746/files/k12770_abstract.pdf | |||||
ラベル | k12770_abstract | |||||
オブジェクトタイプ | abstract | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 230.8 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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