WEKO3
アイテム / Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE / N-polar_accepted_Nagamatsu
N-polar_accepted_Nagamatsu
ファイル | ライセンス |
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公開日 | 2019-06-12 | |||||
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ファイル名 | N-polar_accepted_Nagamatsu.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/28220/files/N-polar_accepted_Nagamatsu.pdf | |||||
ラベル | N-polar_accepted_Nagamatsu | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 806.2 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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