WEKO3
アイテム / Study on High Quality bulk GaN Single Crystal Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy / k13309_abstract
k13309_abstract
ファイル | ライセンス |
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k13309_abstract.pdf (275.9 kB) sha256 54dec7d65d150948eda1fa0e4e8c4a35723032275ff878cee5787a4ebcb15212 |
公開日 | 2020-10-19 | |||||
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ファイル名 | k13309_abstract.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/30580/files/k13309_abstract.pdf | |||||
ラベル | k13309_abstract | |||||
オブジェクトタイプ | abstract | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 275.9 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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