WEKO3
アイテム / Study on High Quality bulk GaN Single Crystal Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy / k13309_thesis
k13309_thesis
ファイル | ライセンス |
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公開日 | 2020-10-19 | |||||
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ファイル名 | k13309_thesis.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/30580/files/k13309_thesis.pdf | |||||
ラベル | k13309_thesis | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 7.1 MB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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