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アイテム / Defect structure in selective area growth GaN pyramid on (111)Si substrate / ApplPhysLett_76_2701
ApplPhysLett_76_2701
ファイル | ライセンス |
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ApplPhysLett_76_2701.pdf (370.2 kB) sha256 9da81372cbf49ce9455527aaef330f6083a1fcc1befdd4c4e6536c5d92f92d84 |
公開日 | 2006-10-19 | |||||
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ファイル名 | ApplPhysLett_76_2701.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/5378/files/ApplPhysLett_76_2701.pdf | |||||
ラベル | ApplPhysLett_76_2701.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 370.2 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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