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アイテム / Effects of surface passivation on breakdown of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors / ApplPhysLett_84_2184
ApplPhysLett_84_2184
ファイル | ライセンス |
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ApplPhysLett_84_2184.pdf (277.8 kB) sha256 9a327cdce281442264aa38e03eb3486a0422f35813248a62f07aecae48850f86 |
公開日 | 2006-10-23 | |||||
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ファイル名 | ApplPhysLett_84_2184.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/5400/files/ApplPhysLett_84_2184.pdf | |||||
ラベル | ApplPhysLett_84_2184.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 277.8 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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