WEKO3
アイテム / Ultrathin fluorinated silicon nitride gate dielectric films formed by remote plasma enhanced chemical vapor deposition employing NH_3 and SiF_4 / JApplPhys_90_1955
JApplPhys_90_1955
ファイル | ライセンス |
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JApplPhys_90_1955.pdf (120.7 kB) sha256 75b23a45ff8ce068e22e2726f74bd13be9ac83a435c32c79adbbc89a3d7cee0b |
公開日 | 2006-10-24 | |||||
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ファイル名 | JApplPhys_90_1955.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/5436/files/JApplPhys_90_1955.pdf | |||||
ラベル | JApplPhys_90_1955.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 120.7 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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