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アイテム / Effect of ions and radicals on formation of silicon nitride gate dielectric films using plasma chemical vapor deposition / JApplPhys_89_5083
JApplPhys_89_5083
ファイル | ライセンス |
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JApplPhys_89_5083.pdf (419.0 kB) sha256 6f27abbddb3669bd5cdf63579d26a525d0b1fb516431d226e95c4f605dc9aef7 |
公開日 | 2006-10-30 | |||||
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ファイル名 | JApplPhys_89_5083.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/5494/files/JApplPhys_89_5083.pdf | |||||
ラベル | JApplPhys_89_5083.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 419.0 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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