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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200h 報告書
  3. 科学研究費補助金報告書

UHF帯プラズマを用いた次世代大口径機能性薄膜プロセスの開発

http://hdl.handle.net/2237/13084
http://hdl.handle.net/2237/13084
276a29f9-5602-4b04-9f62-7053ad55bc32
名前 / ファイル ライセンス アクション
09355002.pdf 09355002.pdf (2.6 MB)
Item type 研究報告書 / Research Paper(1)
公開日 2010-04-06
タイトル
タイトル UHF帯プラズマを用いた次世代大口径機能性薄膜プロセスの開発
言語 ja
著者 後藤, 俊夫

× 後藤, 俊夫

WEKO 33931

ja 後藤, 俊夫

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河野, 明廣

× 河野, 明廣

WEKO 33932

ja 河野, 明廣

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堀, 勝

× 堀, 勝

WEKO 33933

ja 堀, 勝

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伊藤, 昌文

× 伊藤, 昌文

WEKO 33934

ja 伊藤, 昌文

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寒川, 誠二

× 寒川, 誠二

WEKO 33935

ja 寒川, 誠二

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塚田, 勉

× 塚田, 勉

WEKO 33936

ja 塚田, 勉

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
キーワード
主題Scheme Other
主題 CVD
キーワード
主題Scheme Other
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キーワード
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キーワード
主題Scheme Other
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キーワード
主題Scheme Other
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キーワード
主題Scheme Other
主題 ラジカル
キーワード
主題Scheme Other
主題 多結晶シリコン
キーワード
主題Scheme Other
主題 大口径
キーワード
主題Scheme Other
主題 薄膜
抄録
内容記述 UHFプラズマの大口径機能性薄膜プロセスを開発するために,平成9年度から平成11年度に渡って,次世代の液晶ディスプレイデバイスのための大口径ガラス基板上への多結晶シリコン薄膜の低温堆積技術,ULSI用低誘電率薄膜形成技術について研究・開発を行い,下記の成果が得られた. 1.室温あるいは300℃の低温絶縁性基板上で,多結晶シリコン薄膜の結晶化率95%を達成した. また,薄膜初期成長過程の制御によりに基板界面に存在する非晶質シリコン中間層を6nm以下と極めて薄くすることにも成功した.これらの結果は,UHF帯プラズマ技術が多結晶薄膜トランジスタを実用化する上で極めて有望であることを示唆している. 2.薄膜形成機構を解明するために,赤外半導体レーザー吸収分光法によるラジカル計測を進めるとともに電子付着型質量分析法による高密度プラズマ中の高次ラジカル計測を実行し,低誘電率薄膜形成に重要なフルオロカーボン系プラズマ中の高次ラジカルの挙動をはじめて系統的に解明した. UHF帯シランプラズマ中のラジカルとして極めて重要な役割を果たしている水素原子の密度計測法としてマイクロホロー型真空紫外吸収分光法を確立し,プラズマ中の水素原子密度をはじめて明らかにした. 3.上記計測手法をUHF帯シランプラズマに応用し,Si原子と水素原子の計測結果から高品質多結晶シリコン薄膜の形成は,薄膜堆積時に入射するイオンエネルギーと堆積性ラジカルと水素原子とのバランスで決定されていることを解明した. 本研究によって得られたUHF帯プラズマによる高品質多結晶シリコン薄膜の低温形成プロセスの開発成果,種々のラジカルの計測法の確立と薄膜形成機構に関する学術的知見は,プラズマによる機能性薄膜の大口径形成のための新しい指針を呈示するものであり,次世代機能性薄膜プロセスを開発する上で極めて有用である.
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
内容記述
内容記述 科学研究費補助金 研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:09355002 研究代表者:後藤 俊夫 研究期間:1997-1999年度
言語 ja
内容記述タイプ Other
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws
タイプ research report
助成情報
識別子タイプ Crossref Funder
助成機関識別子 https://doi.org/10.13039/501100001691
助成機関名 日本学術振興会
言語 ja
研究課題番号URI https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-09355002
研究課題番号 09355002
研究課題名 UHF帯プラズマを用いた次世代大口径機能性薄膜プロセスの開発
言語 ja
書誌情報
発行日 2000-03
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
値 publisher
シリーズ
関連名称 科学研究費補助金報告書;基盤研究(A)(2);09355002
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/13084
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 19:10:55.979194
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