WEKO3
アイテム / Vertical GaN p+-n junction diode with ideal avalanche capability grown by halide vapor phase epitaxy / 5_0066139
5_0066139
ファイル | ライセンス |
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5_0066139.pdf (2.8 MB) sha256 c069d78c29916330646d020b1f8a4ead5ecdf2cf6ef57533e5bdf700da44a94f |
公開日 | 2022-03-09 | |||||
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ファイル名 | 5_0066139.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/2002178/files/5_0066139.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 2.7 MB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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