ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

{"_buckets": {"deposit": "494286d1-ec26-47c4-9794-ea936b1fb1e6"}, "_deposit": {"id": "21458", "owners": [], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "21458"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00021458", "sets": ["322"]}, "author_link": ["62358", "62359", "62360", "62361", "62362", "62363", "62364", "62365", "62366", "62367"], "item_10_alternative_title_19": {"attribute_name": "その他のタイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_alternative_title": "Control of Schottky Barrier Height at Al/Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion", "subitem_alternative_title_language": "en"}]}, "item_10_biblio_info_6": {"attribute_name": "書誌情報", "attribute_value_mlt": [{"bibliographicIssueDates": {"bibliographicIssueDate": "2012-06-14", "bibliographicIssueDateType": "Issued"}, "bibliographicIssueNumber": "92", "bibliographicPageEnd": "58", "bibliographicPageStart": "53", "bibliographicVolumeNumber": "112", "bibliographic_titles": [{"bibliographic_title": "電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス", "bibliographic_titleLang": "ja"}]}]}, "item_10_description_4": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "Al/p-Ge(100)接合界面に意図的に極薄熱酸化GeO_2を形成し、N_2熱処理によるショットキー障壁高さおよび化学構造の変化の相関を電流-電圧(I-V)特性および硬X線光電子分光法(HAXPES)より評価した。300℃以上のN_2熱処理によりAl/GeO_2界面でGeO_2の還元が促進し、Ge価電子帯上端に金属の実効的な仕事関数が固定されるフェルミレベルピニング(FLP)現象が顕在化する。GeO_2の代わりに、N_2雰囲気中スパッタ法で極薄HfN層を導入すると、450℃の熱処理に対してもFLP緩和に有効であった。極薄膜を用いた伝導特性制御において、熱的に安定な接合界面の形成には、効果的にN導入することが重要である。", "subitem_description_language": "ja", "subitem_description_type": "Abstract"}, {"subitem_description": "The impact of thermal annealing in N_2 ambience on schottky barrier height (SBH) and chemical structures of Al/p-Ge(100) junctions with an interfacial control layer such as GeO_2 and HfN have been investigated from the current density-voltage (I-V) characteristics and hard X-ray photoemission spectroscopy (HAXPES), respectively. We found that, by N_2 annealing at temperatures over 300℃, the GeO_2 reduction in the region near the Al/GeO_2 interface is promoted and the Fermi level pinning (FLP) effect is induced significantly. Such a reduction of SBH in Al/p-Ge(100) junction with annealing was suppressed by an insertion of ultrathin HfN layer instead of GeO_2. The introduction of N atoms in the region near the Al/p-Ge(100) interface is likely to be effective to suppress the reveal of FLP effect with annealing.", "subitem_description_language": "en", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_10_identifier_60": {"attribute_name": "URI", "attribute_value_mlt": [{"subitem_identifier_type": "URI", "subitem_identifier_uri": "http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588305/"}, {"subitem_identifier_type": "HDL", "subitem_identifier_uri": "http://hdl.handle.net/2237/23587"}]}, "item_10_publisher_32": {"attribute_name": "出版者", "attribute_value_mlt": [{"subitem_publisher": "一般社団法人電子情報通信学会", "subitem_publisher_language": "ja"}]}, "item_10_relation_43": {"attribute_name": "関連情報", "attribute_value_mlt": [{"subitem_relation_type": "isVersionOf", "subitem_relation_type_id": {"subitem_relation_type_id_text": "http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588305/", "subitem_relation_type_select": "URI"}}]}, "item_10_rights_12": {"attribute_name": "権利", "attribute_value_mlt": [{"subitem_rights": "(c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである", "subitem_rights_language": "ja"}]}, "item_10_select_15": {"attribute_name": "著者版フラグ", "attribute_value_mlt": [{"subitem_select_item": "publisher"}]}, "item_10_source_id_7": {"attribute_name": "ISSN", "attribute_value_mlt": [{"subitem_source_identifier": "0913-5685", "subitem_source_identifier_type": "PISSN"}]}, "item_1615787544753": {"attribute_name": "出版タイプ", "attribute_value_mlt": [{"subitem_version_resource": "http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85", "subitem_version_type": "VoR"}]}, "item_access_right": {"attribute_name": "アクセス権", "attribute_value_mlt": [{"subitem_access_right": "open access", "subitem_access_right_uri": "http://purl.org/coar/access_right/c_abf2"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "大田, 晃生", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62358", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "松井, 真史", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62359", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "村上, 秀樹", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62360", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "東, 清一郎", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62361", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "宮崎, 誠一", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62362", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Ohta, Akio", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62363", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Matsui, Masafumi", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62364", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Murakami, Hideki", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62365", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Higashi, Seiichiro", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62366", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Miyazaki, Seiichi", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62367", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_files": {"attribute_name": "ファイル情報", "attribute_type": "file", "attribute_value_mlt": [{"accessrole": "open_date", "date": [{"dateType": "Available", "dateValue": "2018-02-21"}], "displaytype": "detail", "download_preview_message": "", "file_order": 0, "filename": "110009588305.pdf", "filesize": [{"value": "718.3 kB"}], "format": "application/pdf", "future_date_message": "", "is_thumbnail": false, "licensetype": "license_note", "mimetype": "application/pdf", "size": 718300.0, "url": {"label": "110009588305.pdf", "objectType": "fulltext", "url": "https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/21458/files/110009588305.pdf"}, "version_id": "ca070965-85ca-4139-8100-7fec4f139be7"}]}, "item_keyword": {"attribute_name": "キーワード", "attribute_value_mlt": [{"subitem_subject": "ゲルマニウム", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "MISダイオード", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "ショットキー障壁", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "化学結合状態", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "硬X線光電子分光法", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Germanium", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "MIS diode", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Schottky Barrier Height", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Chemical Bonding Features", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Hard X-ray Photoemission Spectroscopy (ES)", "subitem_subject_scheme": "Other"}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "journal article", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_6501"}]}, "item_title": "極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)", "subitem_title_language": "ja"}]}, "item_type_id": "10", "owner": "1", "path": ["322"], "permalink_uri": "http://hdl.handle.net/2237/23587", "pubdate": {"attribute_name": "PubDate", "attribute_value": "2016-02-24"}, "publish_date": "2016-02-24", "publish_status": "0", "recid": "21458", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)"], "weko_shared_id": -1}
  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

http://hdl.handle.net/2237/23587
http://hdl.handle.net/2237/23587
5b339e5b-a14b-4256-8c96-0603cb87bfa8
名前 / ファイル ライセンス アクション
110009588305.pdf 110009588305.pdf (718.3 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-24
タイトル
タイトル 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Control of Schottky Barrier Height at Al/Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion
言語 en
著者 大田, 晃生

× 大田, 晃生

WEKO 62358

ja 大田, 晃生

Search repository
松井, 真史

× 松井, 真史

WEKO 62359

ja 松井, 真史

Search repository
村上, 秀樹

× 村上, 秀樹

WEKO 62360

ja 村上, 秀樹

Search repository
東, 清一郎

× 東, 清一郎

WEKO 62361

ja 東, 清一郎

Search repository
宮崎, 誠一

× 宮崎, 誠一

WEKO 62362

ja 宮崎, 誠一

Search repository
Ohta, Akio

× Ohta, Akio

WEKO 62363

en Ohta, Akio

Search repository
Matsui, Masafumi

× Matsui, Masafumi

WEKO 62364

en Matsui, Masafumi

Search repository
Murakami, Hideki

× Murakami, Hideki

WEKO 62365

en Murakami, Hideki

Search repository
Higashi, Seiichiro

× Higashi, Seiichiro

WEKO 62366

en Higashi, Seiichiro

Search repository
Miyazaki, Seiichi

× Miyazaki, Seiichi

WEKO 62367

en Miyazaki, Seiichi

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 ゲルマニウム
キーワード
主題Scheme Other
主題 MISダイオード
キーワード
主題Scheme Other
主題 ショットキー障壁
キーワード
主題Scheme Other
主題 化学結合状態
キーワード
主題Scheme Other
主題 硬X線光電子分光法
キーワード
主題Scheme Other
主題 Germanium
キーワード
主題Scheme Other
主題 MIS diode
キーワード
主題Scheme Other
主題 Schottky Barrier Height
キーワード
主題Scheme Other
主題 Chemical Bonding Features
キーワード
主題Scheme Other
主題 Hard X-ray Photoemission Spectroscopy (ES)
抄録
内容記述 Al/p-Ge(100)接合界面に意図的に極薄熱酸化GeO_2を形成し、N_2熱処理によるショットキー障壁高さおよび化学構造の変化の相関を電流-電圧(I-V)特性および硬X線光電子分光法(HAXPES)より評価した。300℃以上のN_2熱処理によりAl/GeO_2界面でGeO_2の還元が促進し、Ge価電子帯上端に金属の実効的な仕事関数が固定されるフェルミレベルピニング(FLP)現象が顕在化する。GeO_2の代わりに、N_2雰囲気中スパッタ法で極薄HfN層を導入すると、450℃の熱処理に対してもFLP緩和に有効であった。極薄膜を用いた伝導特性制御において、熱的に安定な接合界面の形成には、効果的にN導入することが重要である。
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
抄録
内容記述 The impact of thermal annealing in N_2 ambience on schottky barrier height (SBH) and chemical structures of Al/p-Ge(100) junctions with an interfacial control layer such as GeO_2 and HfN have been investigated from the current density-voltage (I-V) characteristics and hard X-ray photoemission spectroscopy (HAXPES), respectively. We found that, by N_2 annealing at temperatures over 300℃, the GeO_2 reduction in the region near the Al/GeO_2 interface is promoted and the Fermi level pinning (FLP) effect is induced significantly. Such a reduction of SBH in Al/p-Ge(100) junction with annealing was suppressed by an insertion of ultrathin HfN layer instead of GeO_2. The introduction of N atoms in the region near the Al/p-Ge(100) interface is likely to be effective to suppress the reveal of FLP effect with annealing.
言語 en
内容記述タイプ Abstract
出版者
言語 ja
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588305/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0913-5685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 112, 号 92, p. 53-58, 発行日 2012-06-14
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588305/
識別子タイプ URI
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23587
識別子タイプ HDL
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2021-03-01 15:22:22.976014
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3