ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

{"_buckets": {"deposit": "ff3ecfa3-94a5-4359-b2a2-84ca2149ae62"}, "_deposit": {"id": "21461", "owners": [], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "21461"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:nagoya.repo.nii.ac.jp:00021461", "sets": ["322"]}, "author_link": ["62384", "62385", "62386", "62387", "62388", "62389"], "item_10_alternative_title_19": {"attribute_name": "その他のタイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_alternative_title": "Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures", "subitem_alternative_title_language": "en"}]}, "item_10_biblio_info_6": {"attribute_name": "書誌情報", "attribute_value_mlt": [{"bibliographicIssueDates": {"bibliographicIssueDate": "2012-06-14", "bibliographicIssueDateType": "Issued"}, "bibliographicIssueNumber": "92", "bibliographicPageEnd": "16", "bibliographicPageStart": "13", "bibliographicVolumeNumber": "112", "bibliographic_titles": [{"bibliographic_title": "電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス", "bibliographic_titleLang": "ja"}]}]}, "item_10_description_4": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にしたMOSキャパシタにおいて,内部光電効果によるNiSi-NDsからSi-QDsへの電荷移動に着目し,近赤外光照射がハイブリッドFG内の電荷移動・再分布に及ぼす影響を調べた.容量-電圧特性において,光照射下での電子注入に起因するフラットバンド電圧シフトは,暗状態に比べて減少した.これは,NiSi-NDs内で光励起された電子がSi-QDsへ移動することによりハイブリッドFG中で負電荷中心がゲート電極側へシフトした結果として解釈できる.また,NiSi-NDs内で光励起された電子のパルスゲート電圧に対する応答を調べた結果,NiSi-NDsからSi-QDsへ移動する電荷量は,パルスゲート電圧の大きさに比例することが示唆された.", "subitem_description_language": "ja", "subitem_description_type": "Abstract"}, {"subitem_description": "We have studied electron transfer due to internal photoelectric emission in NiSi-Nanodots(NDs)/Si-Quantum-Dots(Si-QDs) hybrid FG structures induced by the irradiation of 1310 nm light. The flat-band voltage shift due to the charging of the hybrid FG was reduced by the light irradiation in comparison with that in the dark. The observed optical response can be interpreted in terms of the shift of the charge centroid in the hybrid FG caused by the photoexcitation of electrons in NiSi-NDs and their transfer to Si-QDs. The response of photoexcited electrons in the NiSi-NDs/Si-QDs hybrid FG to pulsed gate voltage was evaluated. The transferred charge is likely to increase in proportion to pulse gate voltage.", "subitem_description_language": "en", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_10_identifier_60": {"attribute_name": "URI", "attribute_value_mlt": [{"subitem_identifier_type": "URI", "subitem_identifier_uri": "http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588297/"}, {"subitem_identifier_type": "HDL", "subitem_identifier_uri": "http://hdl.handle.net/2237/23590"}]}, "item_10_publisher_32": {"attribute_name": "出版者", "attribute_value_mlt": [{"subitem_publisher": "一般社団法人電子情報通信学会", "subitem_publisher_language": "ja"}]}, "item_10_relation_43": {"attribute_name": "関連情報", "attribute_value_mlt": [{"subitem_relation_type": "isVersionOf", "subitem_relation_type_id": {"subitem_relation_type_id_text": "http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588297/", "subitem_relation_type_select": "URI"}}]}, "item_10_rights_12": {"attribute_name": "権利", "attribute_value_mlt": [{"subitem_rights": "(c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである", "subitem_rights_language": "ja"}]}, "item_10_select_15": {"attribute_name": "著者版フラグ", "attribute_value_mlt": [{"subitem_select_item": "publisher"}]}, "item_10_source_id_7": {"attribute_name": "ISSN", "attribute_value_mlt": [{"subitem_source_identifier": "0913-5685", "subitem_source_identifier_type": "PISSN"}]}, "item_1615787544753": {"attribute_name": "出版タイプ", "attribute_value_mlt": [{"subitem_version_resource": "http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85", "subitem_version_type": "VoR"}]}, "item_access_right": {"attribute_name": "アクセス権", "attribute_value_mlt": [{"subitem_access_right": "open access", "subitem_access_right_uri": "http://purl.org/coar/access_right/c_abf2"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "池田, 弥央", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62384", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "牧原, 克典", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62385", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "宮崎, 誠一", "creatorNameLang": "ja"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62386", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "IKEDA, Mitsuhisa", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62387", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "MAKIHARA, Katsunori", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62388", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "MIYAZAKI, Seiichi", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "62389", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_files": {"attribute_name": "ファイル情報", "attribute_type": "file", "attribute_value_mlt": [{"accessrole": "open_date", "date": [{"dateType": "Available", "dateValue": "2018-02-21"}], "displaytype": "detail", "download_preview_message": "", "file_order": 0, "filename": "110009588297.pdf", "filesize": [{"value": "531.9 kB"}], "format": "application/pdf", "future_date_message": "", "is_thumbnail": false, "licensetype": "license_note", "mimetype": "application/pdf", "size": 531900.0, "url": {"label": "110009588297.pdf", "objectType": "fulltext", "url": "https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/21461/files/110009588297.pdf"}, "version_id": "d8852749-01f9-4747-aa18-5f79e6d1aba3"}]}, "item_keyword": {"attribute_name": "キーワード", "attribute_value_mlt": [{"subitem_subject": "シリコン量子ドット", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "シリサイドナノドット", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "フローティングゲート", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "光応答", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Silicon Quantum Dot", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Silicide Nanodot", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Floating Gate", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Optical Response", "subitem_subject_scheme": "Other"}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "journal article", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_6501"}]}, "item_title": "Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)", "subitem_title_language": "ja"}]}, "item_type_id": "10", "owner": "1", "path": ["322"], "permalink_uri": "http://hdl.handle.net/2237/23590", "pubdate": {"attribute_name": "PubDate", "attribute_value": "2016-02-24"}, "publish_date": "2016-02-24", "publish_status": "0", "recid": "21461", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)"], "weko_shared_id": -1}
  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200a 雑誌掲載論文
  3. 学術雑誌

Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

http://hdl.handle.net/2237/23590
http://hdl.handle.net/2237/23590
d8908730-015b-453a-8eb1-778fc0200521
名前 / ファイル ライセンス アクション
110009588297.pdf 110009588297.pdf (531.9 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-24
タイトル
タイトル Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures
言語 en
著者 池田, 弥央

× 池田, 弥央

WEKO 62384

ja 池田, 弥央

Search repository
牧原, 克典

× 牧原, 克典

WEKO 62385

ja 牧原, 克典

Search repository
宮崎, 誠一

× 宮崎, 誠一

WEKO 62386

ja 宮崎, 誠一

Search repository
IKEDA, Mitsuhisa

× IKEDA, Mitsuhisa

WEKO 62387

en IKEDA, Mitsuhisa

Search repository
MAKIHARA, Katsunori

× MAKIHARA, Katsunori

WEKO 62388

en MAKIHARA, Katsunori

Search repository
MIYAZAKI, Seiichi

× MIYAZAKI, Seiichi

WEKO 62389

en MIYAZAKI, Seiichi

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
権利
言語 ja
権利情報 (c)一般社団法人電子情報通信学会 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
キーワード
主題Scheme Other
主題 シリコン量子ドット
キーワード
主題Scheme Other
主題 シリサイドナノドット
キーワード
主題Scheme Other
主題 フローティングゲート
キーワード
主題Scheme Other
主題 光応答
キーワード
主題Scheme Other
主題 Silicon Quantum Dot
キーワード
主題Scheme Other
主題 Silicide Nanodot
キーワード
主題Scheme Other
主題 Floating Gate
キーワード
主題Scheme Other
主題 Optical Response
抄録
内容記述 シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にしたMOSキャパシタにおいて,内部光電効果によるNiSi-NDsからSi-QDsへの電荷移動に着目し,近赤外光照射がハイブリッドFG内の電荷移動・再分布に及ぼす影響を調べた.容量-電圧特性において,光照射下での電子注入に起因するフラットバンド電圧シフトは,暗状態に比べて減少した.これは,NiSi-NDs内で光励起された電子がSi-QDsへ移動することによりハイブリッドFG中で負電荷中心がゲート電極側へシフトした結果として解釈できる.また,NiSi-NDs内で光励起された電子のパルスゲート電圧に対する応答を調べた結果,NiSi-NDsからSi-QDsへ移動する電荷量は,パルスゲート電圧の大きさに比例することが示唆された.
言語 ja
内容記述タイプ Abstract
抄録
内容記述 We have studied electron transfer due to internal photoelectric emission in NiSi-Nanodots(NDs)/Si-Quantum-Dots(Si-QDs) hybrid FG structures induced by the irradiation of 1310 nm light. The flat-band voltage shift due to the charging of the hybrid FG was reduced by the light irradiation in comparison with that in the dark. The observed optical response can be interpreted in terms of the shift of the charge centroid in the hybrid FG caused by the photoexcitation of electrons in NiSi-NDs and their transfer to Si-QDs. The response of photoexcited electrons in the NiSi-NDs/Si-QDs hybrid FG to pulsed gate voltage was evaluated. The transferred charge is likely to increase in proportion to pulse gate voltage.
言語 en
内容記述タイプ Abstract
出版者
言語 ja
出版者 一般社団法人電子情報通信学会
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプresource http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連情報
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588297/
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0913-5685
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻 112, 号 92, p. 13-16, 発行日 2012-06-14
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110009588297/
識別子タイプ URI
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/23590
識別子タイプ HDL
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2021-03-01 15:22:17.107646
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3