WEKO3
アイテム / Study on plasma etching of GaN at high temperatures for damageless fabrication of next-generation power devices / k11890_abstract
k11890_abstract
| ファイル | ライセンス |
|---|---|
 k11890_abstract.pdf (210.0 kB)
sha256
c863b0d998cb0937196ccd1b46ee7085aff21311ba7333d9d2f46bfbe666581f
|
| 公開日 | 2017-06-06 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ファイル名 | k11890_abstract.pdf | |||||
| 本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/24182/files/k11890_abstract.pdf | |||||
| ラベル | k11890_abstract.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | abstract | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 210.0 kB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
|---|