WEKO3
アイテム / Study on plasma etching of GaN at high temperatures for damageless fabrication of next-generation power devices / k11890_review
k11890_review
| ファイル | ライセンス |
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 k11890_review.pdf (106.3 kB)
sha256
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| 公開日 | 2017-06-06 | |||||
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| ファイル名 | k11890_review.pdf | |||||
| 本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/24182/files/k11890_review.pdf | |||||
| ラベル | k11890_review.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | other | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 106.3 kB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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