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アイテム / Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching / Matsumoto_PSSB_255_5_1700387
Matsumoto_PSSB_255_5_1700387
| ファイル | ライセンス |
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 Matsumoto_PSSB_255_5_1700387.pdf (913.6 kB)
sha256
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| 公開日 | 2018-08-20 | |||||
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| ファイル名 | Matsumoto_PSSB_255_5_1700387.pdf | |||||
| 本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/26315/files/Matsumoto_PSSB_255_5_1700387.pdf | |||||
| ラベル | Matsumoto_PSSB_255_5_1700387 | |||||
| オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 913.6 kB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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