WEKO3
アイテム
GaN MOSFET用ゲート絶縁膜の理論的研究
http://hdl.handle.net/2237/00029972
http://hdl.handle.net/2237/000299724b8dc779-060f-4407-8742-1c6e3692dcf8
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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k12797_abstract (281.4 kB)
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k12797_review (173.1 kB)
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k12797_summary (247.5 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-04-04 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | GaN MOSFET用ゲート絶縁膜の理論的研究 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Theoretical study on the gate insulators for GaN MOSFET | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
長川, 健太
× 長川, 健太 |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||
| タイプ | doctoral thesis | |||||
| 書誌情報 |
発行日 2019-03-25 |
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| 学位名 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||
| 学位授与機関識別子 | 13901 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 学位授与機関名 | 名古屋大学 | |||||
| 言語 | en | |||||
| 学位授与機関名 | Nagoya University | |||||
| 学位授与年度 | ||||||
| 学位授与年度 | 2018 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2019-03-25 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第12797号 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | none | |||||
