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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200d 学位論文
  3. 博士論文(工博・論工博)

GaN MOSFET用ゲート絶縁膜の理論的研究

http://hdl.handle.net/2237/00029972
http://hdl.handle.net/2237/00029972
4b8dc779-060f-4407-8742-1c6e3692dcf8
名前 / ファイル ライセンス アクション
k12797_abstract.pdf k12797_abstract (281.4 kB)
k12797_review.pdf k12797_review (173.1 kB)
k12797_summary.pdf k12797_summary (247.5 kB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2019-04-04
タイトル
タイトル GaN MOSFET用ゲート絶縁膜の理論的研究
言語 ja
その他のタイトル
その他のタイトル Theoretical study on the gate insulators for GaN MOSFET
言語 en
著者 長川, 健太

× 長川, 健太

WEKO 90263

ja 長川, 健太

Search repository
アクセス権
アクセス権 metadata only access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
タイプ doctoral thesis
書誌情報
発行日 2019-03-25
学位名
言語 ja
学位名 博士(工学)
学位授与機関
学位授与機関識別子Scheme kakenhi
学位授与機関識別子 13901
言語 ja
学位授与機関名 名古屋大学
言語 en
学位授与機関名 Nagoya University
学位授与年度
学位授与年度 2018
学位授与年月日
学位授与年月日 2019-03-25
学位授与番号
学位授与番号 甲第12797号
著者版フラグ
値 none
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Ver.1 2021-03-01 10:18:36.473898
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