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アイテム / シリコン窒化膜を用いた高性能不揮発性メモリに向けた第一原理計算による設計指針の提案 / k12798_abstract
k12798_abstract
| ファイル | ライセンス |
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 k12798_abstract.pdf (318.0 kB)
sha256
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| 公開日 | 2019-04-04 | |||||
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| ファイル名 | k12798_abstract.pdf | |||||
| 本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/27774/files/k12798_abstract.pdf | |||||
| ラベル | k12798_abstract | |||||
| オブジェクトタイプ | abstract | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 318.0 kB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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