WEKO3
アイテム
シリコン窒化膜を用いた高性能不揮発性メモリに向けた第一原理計算による設計指針の提案
http://hdl.handle.net/2237/00029973
http://hdl.handle.net/2237/000299739a2c44a3-14f5-41c7-8880-d43a8a55c06c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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k12798_abstract (318.0 kB)
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k12798_review (177.5 kB)
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k12798_thesis (4.6 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-04-04 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | シリコン窒化膜を用いた高性能不揮発性メモリに向けた第一原理計算による設計指針の提案 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Design guidelines based on first principle calculations for high performance nonvolatile memories using silicon nitride film | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者 |
山口, 慶太
× 山口, 慶太 |
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| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||
| 書誌情報 |
発行日 2019-03-25 |
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| 学位名 | ||||||
| 言語 | ja | |||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||
| 学位授与機関識別子 | 13901 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 学位授与機関名 | 名古屋大学 | |||||
| 言語 | en | |||||
| 学位授与機関名 | Nagoya University | |||||
| 学位授与年度 | ||||||
| 値 | 2018 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2019-03-25 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第12798号 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | ETD | |||||
