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アイテム / Reduction of threading dislocation density in SiGe layers on Si (001) using a two-step strain–relaxation procedure / ApplPhysLett_79_3398
ApplPhysLett_79_3398
| ファイル | ライセンス |
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 ApplPhysLett_79_3398.pdf (258.0 kB)
sha256
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| 公開日 | 2006-10-20 | |||||
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| ファイル名 | ApplPhysLett_79_3398.pdf | |||||
| 本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/5391/files/ApplPhysLett_79_3398.pdf | |||||
| ラベル | ApplPhysLett_79_3398.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 258.0 kB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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