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アイテム / Growth of GaN free from cracks on a (111)Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy / ApplPhysLett_80_222
ApplPhysLett_80_222
ファイル | ライセンス |
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ApplPhysLett_80_222.pdf (93.0 kB) sha256 3b001d265d100864fcf4ab4fcab1f203bcbabb9d6eed84c5c6cab0f6441b4d7f |
公開日 | 2006-10-23 | |||||
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ファイル名 | ApplPhysLett_80_222.pdf | |||||
本文URL | https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/5399/files/ApplPhysLett_80_222.pdf | |||||
ラベル | ApplPhysLett_80_222.pdf | |||||
オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 93.0 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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