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  1. B200 工学部/工学研究科
  2. B200d 学位論文
  3. 博士論文(工博・論工博)

STUDIES ON III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS ON Si SUBSTRATES GROWN BY MOCVD

http://hdl.handle.net/2237/12554
http://hdl.handle.net/2237/12554
07fb66db-aafd-4c04-999c-1dfc1487e568
名前 / ファイル ライセンス アクション
ko1945_abstr.pdf ko1945_abstr.pdf (312.6 kB)
ko1945.pdf ko1945.pdf (5.5 MB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2009-12-24
タイトル
タイトル STUDIES ON III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS ON Si SUBSTRATES GROWN BY MOCVD
言語 en
その他のタイトル
その他のタイトル MOCVD法によって成長したSi基板上のIII-V化合物半導体に関する研究
言語 ja
著者 曽我, 哲夫

× 曽我, 哲夫

WEKO 32245

ja 曽我, 哲夫

Search repository
Soga, Tetsuo

× Soga, Tetsuo

WEKO 32246

en Soga, Tetsuo

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 名古屋大学博士学位論文 学位の種類 : 工学博士(課程) 学位授与年月日 : 昭和61年3月25日
言語 ja
言語
言語 eng
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
タイプ doctoral thesis
書誌情報
発行日 1987-03-25
学位名
言語 ja
学位名 工学博士
学位授与機関
学位授与機関識別子Scheme kakenhi
学位授与機関識別子 13901
言語 ja
学位授与機関名 名古屋大学
言語 en
学位授与機関名 Nagoya University
学位授与年度
学位授与年度 1986
学位授与年月日
学位授与年月日 1987-03-25
学位授与番号
学位授与番号 甲第1945号
フォーマット
値 application/pdf
フォーマット
値 application/pdf
著者版フラグ
値 publisher
URI
識別子 http://hdl.handle.net/2237/12554
識別子タイプ HDL
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Ver.1 2021-03-01 19:21:26.421242
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